找到“ID8155”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| AP9T16AGH-HF | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):19.5A;功率(Pd):12.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| SW6N80 | SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):113.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| SM1A23NSUC-TRG | Sinopower Semiconductor, Inc | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| JST60N30T2 | JESTEK | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRSD082N10L2 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):78A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.6mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPD60R180P7 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@280uA; | 获取价格 | ||
| FQD5N60CTM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDD8782 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| PTD3006 | ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):58W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNG05R230 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSG60R2K5HT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):18W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,950mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA; | 获取价格 | ||
| SM600R65CT9RL | Sourcechips | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| VIS30024 | WUXI WODAKE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):146A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250mA; | 获取价格 | ||
| LP1480WT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):290mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ@2.5V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):8V; | 获取价格 | ||
| PMG85XPH | Nexperia | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：375mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.15V@250uA | 获取价格 | ||
| AO3480C | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA | 获取价格 | ||
| WPM2019-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道 | 获取价格 | ||
| SL3400 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250uA | 获取价格 | ||
| SL3401S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA | 获取价格 | ||
| SL60N06 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA | 获取价格 |
