找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KNB2910B | KIA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):211W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):160nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.95nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):380pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SK2615(TE12L.F) | TOSHIBA CORPORATION | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):150pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BLM10P03-D | SHANGHAI BELLING | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):23.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,17A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):270pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSS2N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):240mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMTL2301C | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):503pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):58pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RU20P4C-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.6A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,4.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.4nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.295nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):130pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TPM3415ES3 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):650mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.1811nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):114.8pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APM2315AC-TRG | Sinopower Semiconductor, Inc | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.135nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@15V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDC3612-HF | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@10V,2.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):660pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):40pF@50V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDC2512-HF | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):319mΩ@10V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):344pF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):9pF@75V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| G8N03 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@5V;输入电容(Ciss@Vds):900pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):50pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GL80N03A4 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):51nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.33nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):230pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LNG07R085H | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):78W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.57nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):197pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE6890K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.3nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):170pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NVF6P02T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):8.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@4.5V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):940pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSP100N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):100nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.88nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):9.5pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CRST073N15N | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.2mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):5.416nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):31pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG090N06LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.002nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):32pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GT125N10T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):101.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.1246nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):15.1pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NP36N10G | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):36A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.63nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):50pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
