找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 8205S | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.24nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):522.3pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds):74.69pF@8V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSW2N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):350pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MS80N03 | Mason semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):105W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):41nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.963nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):221pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GL50N03A4 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MEE15N10 | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):19.8A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):314pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP70N10 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,28A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.7nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):260pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MP18N20 | MINOS | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.32nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):130pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP1520 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):59mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):600pF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):10.8pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP1580 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):44.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):17.9pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP40T15A | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.75mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):81nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.9nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF5N65F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.63nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):471pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP2045KD | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):265pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM60N30KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.562nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):66.8pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM40N80KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.027nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):155pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM100N34KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):34A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):252pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP5N20D-H | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):228pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):17pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE70T1K2K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):304pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):0.5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| QM4002AD-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,38.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):42nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.801nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):570pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0106Z | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TPNTK3134NT1G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 |
