找到“INA2143UA”相关的规格书共5,925个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KIRLML5203TRPBF | KUU SEMICONDUCTOR | P沟道30-V（D-S）-30V -3A 98Ω@10V,3A 1.25W 2.5V@250uA 43pF@15V P Channel 510pF@15V 9.5nC@10V +150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| BZT52C3V0S-W2 | MDD辰达半导体 | 稳压值(标称值)：3V 精度：±5% 反向电流(Ir)：50uA@1V | 获取价格 | ||
| SN74LVC1G00DBVR | Texas Instruments | 逻辑电路的归属系列：74LVC 逻辑类型：与非门 通道数：1 每通道输入数：2 电源电压：1.65V~5.5V 静态电流(最大值)：10uA | 获取价格 | ||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：4.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA | 获取价格 | ||
| MMSZ5230BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：4.7V 稳压值(范围)：4.47V~4.94V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@2V 阻抗(Zzt)：19Ω | 获取价格 | ||
| L2N7002FLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 停产 | 获取价格 | ||
| BZT52C51 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：51V 稳压值(范围)：48V~54V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：1uA@39V 阻抗(Zzt)：180Ω | 获取价格 | ||
| SR05LC | MDD辰达半导体 | Uni PD=125W VRWM=5V VBR=6V VC=25V IPP=5A IR=1uA CJ=0.9PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 2SC3356 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：1uA 特征频率(fT)：7GHz | 获取价格 | ||
| ESD5Z3.3C | MDD辰达半导体 | Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4V VC=12V IPP=7A IR=1uA CJ=12PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| SM24C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=24V VBR=26.7V VC=52V IPP=7A IR=1uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| SL3406 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | N沟道功率MOSFET 30V 5.6A 21mΩ@10V,29A 1.2W 1.5V@250uA 68pF@15V N Channel 490pF@15V 5.2nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 | 获取价格 | ||
| YJL3407A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | P沟道增强型场效应晶体管 30V 4.1A 55mΩ@10V,4.1A 1.2W 2.4V@250uA P Channel SOT-23 | 获取价格 | ||
| HER207 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 2.0安培。玻璃钝化高效整流器-65℃~+150℃@(Tj) IR=5uA@800V IAV=2A VF=1.7V@2A Trr=75ns Single VRRM=800V DO-15 | 获取价格 | ||
| GBLC03C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=3V VBR=4V VC=13.9V IPP=8A IR=2uA CJ=0.8PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD3Z3V3BU | MDD辰达半导体 | Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4.2V VC=21V IPP=4A IR=0.1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| WPM2031-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率MOSFET 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 10.2pF@10V P Channel 74pF@10V 1.67nC@4.5V +150℃@(Tj) SOT-723 | 获取价格 | ||
| 1N4751A | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28.5V~31.5V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@22.8V 阻抗(Zzt)：40Ω 30V 1W | 获取价格 | ||
| 2N7002 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2301S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 |
