找到“TL287ID”相关的规格书共13,883个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TPA70R450C | Wuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| MMBT7002W | ST(先科) | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 5LN01M-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):100mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8Ω@4V,50mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):-; | 获取价格 | ||
| BSS84PWH6327 | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@10V,150mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@20uA; | 获取价格 | ||
| CJ3139KW | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):660mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250μA; | 获取价格 | ||
| NCE0110AK | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| 5N70GS | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HSU6040 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):112A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,18A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSU80N03 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSU0018A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPD60R800CE | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FQD10N20CTM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):7.8A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,3.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE6020DB | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRTD110N03L | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA; | 获取价格 | ||
| JST80N30T2A | JESTEK | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSG70R450GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS55N06A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):69.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE30100B | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CRTD045N03L | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNG4N65 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
