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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS138N | Infineon Technologies | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=230mA RDS(ON)=6Ω@4.5V SOT23 | 获取价格 | ||
| VBJ2102M | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=200mΩ@10V SOT223 | 获取价格 | ||
| AO3401MI-MS | Mason semiconductor | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：350mW SOT23-3L | 获取价格 | ||
| LN4812LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 | 获取价格 | ||
| YJD18GP10A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=75mΩ@10V TO252 | 获取价格 | ||
| IRF740 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | MOSFETs N-Channel TO220 Vdss=400V Id=10A VgSS=±30V Pd=134W | 获取价格 | ||
| BRD100N03 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | MOSFETs N-Channel TO252-3 Vdss=30V Id=100A Vgss=±20V Pd=100W | 获取价格 | ||
| SM2305SRL | Sourcechips | MOSFETs P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A Pd=1.1W SOT23-3 | 获取价格 | ||
| TPH3R70APL,L1Q | TOSHIBA CORPORATION | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8 | 获取价格 | ||
| VBL2658 | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=48mΩ@10V TO263 | 获取价格 | ||
| 2N7002T | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | MOSFETs SOT523 N-Channel VDS=60V ID=115mA PD=150mW | 获取价格 | ||
| 2N7002K | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=340mA Pd=350mW SOT23 | 获取价格 | ||
| VBL1104N | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=30mΩ@10V TO263 | 获取价格 | ||
| VBL1307 | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=70A RDS(ON)=6mΩ@10V TO263 | 获取价格 | ||
| VBL1615 | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=11mΩ@10V TO263 | 获取价格 | ||
| VBL1632 | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±10V ID=50A RDS(ON)=23Ω@10V TO263 | 获取价格 | ||
| VBMB165R07 | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=7A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO220F | 获取价格 | ||
| 2N7002 | NTE Electronics, Inc | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW | 获取价格 | ||
| RUC002N05HZGT116 | Rohm Semiconductor | MOS管 2N-Channe VDS=50V VGS=±8V ID=200mA Pd=350mW SOT23 | 获取价格 | ||
| 2N7002Q-7-F | Diodes Incorporated | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23-3 | 获取价格 |
