找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| CEM4953H | CET-MOS Technology Corp. | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@10V,3.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS5N60A4H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS120N08A8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS2N60A3H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS10N65FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS150N03A8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N65FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS12N60FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS1N60A3H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):800mA;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15Ω@10V,400mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS45N06A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):54.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS630A8H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):280mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS3N90A3H1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| AS6385 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| AS4435S | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,9.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| D6JA80 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HBR20100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR3045-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):640mV@15A;反向电流(Ir):50uA@45V; | 获取价格 | ||
| 1H05 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF25N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):173W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,12.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HA20N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
