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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
HSU60N02HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;获取价格
AOD240-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):59A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
SMD4N65Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FQD13N10TMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
TPD50R400CWuxi Unigroup Microelectronics Co. Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
AS0130KAAnbon Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
JST100N30T2JESTEK类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
VBE1206VBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):65A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@2.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;获取价格
CS7N70A4R-GWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.15Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
50N06GChongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17.5mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
TX40N06BShenzhen Xindingsheng Technology Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,38.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;获取价格
LSG60R380HTLonten Semiconductor Co.,Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
CJ3134K KFRubycon Corporation类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA;获取价格
CS4N60A7HDWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
BRD50N06Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
AP65SL380DHAPEC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;获取价格
KND2803AKIA类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;获取价格
PTD3004ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
MM1Z56ST(先科)二极管配置:独立式;稳压值(标称值):56V;稳压值(范围):52V~60V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):1uA@43V;阻抗(Zzt):180Ω;获取价格
MMSZ4V7CWT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.7V;稳压值(范围):4.47V~4.94V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2.7uA@2V;阻抗(Zzt):80Ω;获取价格