找到“TL088ID”相关的规格书共11,905个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| CRTT084NE6N | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):81A;功率(Pd):111W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 10N50TF | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HSP6016 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCE30H15 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| BR50N06 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP9963GP | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| 2N60L-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FQP6N90C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):167W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 8680A | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):92A;功率(Pd):139W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CEP80N15 | CET-MOS Technology Corp. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):76A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3810P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):346W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,90A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE100180GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SW4N65 | SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):167W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPP040N06N | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,90A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@90uA; | 获取价格 | ||
| SE18NS65A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE100130A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE10030A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| TK100E10N1,S1X(S | TOSHIBA CORPORATION | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):255W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@1mA; | 获取价格 | ||
| TK11A65D(STA4,X,M) | TOSHIBA CORPORATION | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@1mA; | 获取价格 | ||
| PDP3960 | Potens Semiconductor Corp. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):176A;功率(Pd):168W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 |
