找到“TL088ID”相关的规格书共11,905个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PMT280ENEAX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):770mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):385mΩ@1.5A,10V; | 获取价格 | ||
| CET3055L | CET-MOS Technology Corp. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,4A; | 获取价格 | ||
| HY4903B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):290A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,145A; | 获取价格 | ||
| BUK9880-55A--CUX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,8A; | 获取价格 | ||
| IRFZ48NS-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,60A; | 获取价格 | ||
| AOD4144-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A; | 获取价格 | ||
| HSH18N20 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ@10V,9A; | 获取价格 | ||
| RC409 | RealChip | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A; | 获取价格 | ||
| YFW120N10AD | YFW | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):148W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,1A; | 获取价格 | ||
| RC90N06 | RealChip | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):78W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A; | 获取价格 | ||
| CEU6086-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):97A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,97A; | 获取价格 | ||
| IRLR7843TRPBF&-2-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,100A; | 获取价格 | ||
| VBE1102M | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@10V,20A; | 获取价格 | ||
| SK120N03B | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,20A; | 获取价格 | ||
| SUD70N03-04P-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,100A; | 获取价格 | ||
| CMD04N03 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ; | 获取价格 | ||
| CMB5970 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ; | 获取价格 | ||
| CMD1402 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ; | 获取价格 | ||
| CMD40N15 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ; | 获取价格 | ||
| CMD4003 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):27A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ; | 获取价格 |
