找到“TSM102ID”相关的规格书共31,361个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| LNG05R230 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSG60R2K5HT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):18W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,950mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA; | 获取价格 | ||
| SM600R65CT9RL | Sourcechips | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| VIS30024 | WUXI WODAKE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):146A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250mA; | 获取价格 | ||
| LP1480WT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):290mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ@2.5V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):8V; | 获取价格 | ||
| PMG85XPH | Nexperia | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：375mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.15V@250uA | 获取价格 | ||
| AO3480C | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA | 获取价格 | ||
| WPM2019-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道 | 获取价格 | ||
| SL3400 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250uA | 获取价格 | ||
| SL3401S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA | 获取价格 | ||
| SL60N06 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2310 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2305 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| 2N7002E | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA | 获取价格 | ||
| T2N7002BK,LM | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：400mA 功率(Pd)：320mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.1V@250uA | 获取价格 | ||
| SSM3J46CTB(TPL3) | TOSHIBA CORPORATION | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA | 获取价格 | ||
| PMF370XN,115 | Nexperia | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：870mA 功率(Pd)：560mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：440mΩ@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| VIS30019A | WUXI WODAKE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):83.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250mA; | 获取价格 | ||
| SLU5N65S | Maplesemi | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| SFS06R03PF | ORIENTAL SEMI | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 |
