找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| LP5907MFX-1.8/NOPB(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗2ua，带EN使能脚，电流最大300ma，广泛用于各类便携式手持设备，平板电脑，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| GT30L24M1Z | Shanghai Gaotong Semiconductor Co., Ltd | 字符集:GB18030;点阵大小:24x24;时钟频率:120MHz;工作电压:2.7V~3.6V;工作电流:12mA;待机电流:5uA;工作温度:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| B1D10120F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.46V@10A;反向电流(Ir):4.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| B1D10065F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):32A;正向压降(Vf):1.43V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | 获取价格 | ||
| HY0910D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):21W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):143mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY050N08P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):166W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4008P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):345W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4004B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):208A;功率(Pd):217W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,104A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3208AP | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHD80N07C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):63V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):59.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,33A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHS80N08B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHA150N06C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):290W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHA20N65A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSPPAD042A | ALPS ELECTRIC CO., LTD. | 压力范围:300pa~1100hpa;供电电压:1.7V~3.6V;待机电流:1.8uA;接口类型:I2C;工作温度:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| CEM9288 | CET-MOS Technology Corp. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N65A8HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS2837AND | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS10N70FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS15N50FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS5N20A3 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,2.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
