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SSP7615-25M5RSiproin输出类型:固定 输出极性:正 输出通道数:1 最大输入电压:7V 输出电压:1.2V~5V 静态电流(地电流):0.5μA 输出电流:400mA 0.5uA超低静态功耗,400mA电流输出稳压LDO获取价格
JCS4N65VC-IPAKJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):122W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CRTT084NE6NWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):81A;功率(Pd):111W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HSP6016HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
NCE30H15WUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
BR50N06Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
AP9963GPAPEC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
2N60L-TA3-TUnisonic Technology Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FQP6N90CMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):167W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;获取价格
8680AGoford Semiconductor Co.,Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):92A;功率(Pd):139W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CEP80N15CET-MOS Technology Corp.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):76A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY3810PHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):346W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,90A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE100180GASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SW4N65SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):167W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
IPP040N06NInfineon Technologies类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,90A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@90uA;获取价格
SE18NS65ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE100130ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
SE10030ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
PDP3960Potens Semiconductor Corp.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):176A;功率(Pd):168W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
LNC12N60Lonten Semiconductor Co.,Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格