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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
VBF2355VBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):20W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
VBFB2658VBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):53mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
VBFB1405VBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):85A;功率(Pd):312W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSP0016HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):27A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSP4024AHUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):165A;功率(Pd):149W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
FQP10N20CMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FDPF14N30Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):300V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;获取价格
G120N04AGoford Semiconductor Co.,Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
SE8090ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE30150ASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
KNP2910AKIA类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE85210GASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250uA;获取价格
KIA2906AKIA类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
SE100P60ASINO-IC类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
RU40190RShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FQP4N90CMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;获取价格
HY3008PHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
TK11A65W,S5X(MTOSHIBA CORPORATION类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.1A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@450uA;获取价格
SE120120GASINO-IC类型:N沟道;漏源电压(Vdss):120V;连续漏极电流(Id):129A;功率(Pd):185W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.1mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
P1010ATNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):69A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格