找到“TL088ID”相关的规格书共11,905个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SL2312 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA | 获取价格 | ||
| SSM3K15AFS,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| SSM3K15AFU,LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| SSM3K35AMFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA | 获取价格 | ||
| NTA4001NT1G | ON Semiconductor | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA | 获取价格 | ||
| ZXMP3A16GTA | Diodes Incorporated | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.4A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA | 获取价格 | ||
| NTK3134NT1G | ON Semiconductor | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA | 获取价格 | ||
| GP3134 | Shanghai Greenpower Electronics Technology Co ., ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3606B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY1603D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):62A;功率(Pd):36W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,31A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3606P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):162A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,81A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1001P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY3704B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY12P03S | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4008B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY3203C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):52W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHA20N50A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):380W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHA28N50A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):479W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP740C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):193.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CEP10N65 | CET-MOS Technology Corp. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
