找到3140UA相关的规格书共5,804
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
HY0910DHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):21W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):143mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
HY050N08PHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):166W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY4008PHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):345W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY4004BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):208A;功率(Pd):217W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,104A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HY3208APHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FHD80N07CGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):63V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):59.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,33A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
FHS80N08BGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FHA150N06CGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):290W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FHA20N65AGuangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HSPPAD042AALPS ELECTRIC CO., LTD.压力范围:300pa~1100hpa;供电电压:1.7V~3.6V;待机电流:1.8uA;接口类型:I2C;工作温度:-40℃~+85℃;获取价格
CEM9288CET-MOS Technology Corp.类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;获取价格
CS4N65A8HDWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CS2837ANDWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CS10N70FA9RWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CS15N50FA9RWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CS5N20A3Wuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,2.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CS13N50FA9HWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
CS20N60FA9HWuxi China Resources Microelectronics Limited类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
ASD2065P2Anbon Semiconductor Co., Ltd.二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1.45V@10A;反向电流(Ir):10uA@650V;获取价格
GBU810Anbon Semiconductor Co., Ltd.直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.1V@4A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格